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分离式半导体产品 IXTA3N100P品牌、价格、PDF参数

IXTA3N100P • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXTA3N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263 0 200:$2.41900
IXTD5N100A IXYS MOSFET N-CH 1000V 5A DIE 0 31:$12.02516
IXTP160N04T2 IXYS MOSFET N-CH 40V 160A TO-220 0 250:$1.95000
IXFR12N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247 0 60:$11.84000
IXTP120N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 120A TO-220 0 250:$1.95000
IXFK420N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 420A TO-264 0 50:$11.80300
IXTA300N04T2-7 IXYS MOSFET N-CH 40V 300A TO-263 0 150:$3.58753
IXTA3N100P • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 25V
功率 - 最大: 125W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: TO-263
包装: 管件
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