分离式半导体产品 IXTP2R4N120P品牌、价格、PDF参数

IXTP2R4N120P • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXTP2R4N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220 0 150:$3.69000
IXTX110N20L2 IXYS MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 0 30:$21.67500
IXFH12N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 0 60:$9.84200
IXTK200N10L2 IXYS MOSFET 100V 200A TO-264 100 1:$25.70000
25:$21.84520
100:$20.23880
250:$18.63252
500:$17.66876
1,000:$16.70500
2,500:$16.19100
5,000:$15.74125
IXTX24N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 0 30:$17.03400
IXTC130N15T IXYS MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220 0 100:$5.21700
IXTC102N25T IXYS MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220 0 100:$5.21700
IXTA260N055T2-7 IXYS MOSFET N-CH 55V 260A TO-263 0 150:$3.58753
IXTA230N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 230A TO-263 0 150:$3.58753
IXTQ50N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P 0 120:$3.58750
IXTP2R4N120P • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.5 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1207pF @ 25V
功率 - 最大: 125W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件