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分离式半导体产品 IXTA1R4N120P品牌、价格、PDF参数

IXTA1R4N120P • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXTA1R4N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263 0 150:$2.95200
IXTP14N60PM IXYS MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 0 150:$2.93153
IXTP140N055T2 IXYS MOSFET N-CH 55V 140A TO-220 0 150:$2.93153
IXTA1R4N120P • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 13 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 24.8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 666pF @ 25V
功率 - 最大: 86W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: TO-263
包装: 管件
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