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分离式半导体产品 BVSS123LT1G品牌、价格、PDF参数

BVSS123LT1G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BVSS123LT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3 0 12,000:$0.04811
NVR4003NT3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V SOT-23-3 0 20,000:$0.04250
BVSS123LT1G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 170mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 6 欧姆 @ 100mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: *
闸电荷(Qg) @ Vgs: -
输入电容 (Ciss) @ Vds: 20pF @ 25V
功率 - 最大: 225mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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