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分离式半导体产品 IXFH6N120品牌、价格、PDF参数

IXFH6N120 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXFH6N120 IXYS MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 0 60:$7.48250
IXTH6N150 IXYS MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247 0 60:$7.44150
IXFH6N120 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.6 欧姆 @ 3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1950pF @ 25V
功率 - 最大: 300W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
电脑版（www.mmic.net.cn）
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