型号
分离式半导体产品 BTS282Z E3230品牌、价格、PDF参数
BTS282Z E3230
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
BTS282Z E3230
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
0
500:$2.58030
BTS282Z E3230
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
49V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
6.5 毫欧 @ 36A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2V @ 240µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
232nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
4800pF @ 25V
功率 - 最大:
300W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-220-7
供应商设备封装:
PG-TO220-7-230
包装:
管件
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