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分离式半导体产品 3LN01C-TB-H品牌、价格、PDF参数

3LN01C-TB-H • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
3LN01C-TB-H ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP 0 9,000:$0.07866
NVTE4151PT1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 760MA 20V SC-89 0 9,000:$0.07650
3LN01C-TB-H • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 150mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.7 欧姆 @ 80mA，4V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: -
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7pF @ 10V
功率 - 最大: 250mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装: 3-CP
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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