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分离式半导体产品 BSS83P H6327品牌、价格、PDF参数

BSS83P H6327 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSS83P H6327 Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 330mA SOT23 0 3,000:$0.07380
6,000:$0.06642
15,000:$0.05904
30,000:$0.05535
75,000:$0.04908
150,000:$0.04613
BSS83P H6327 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 330mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2 欧姆 @ 330mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 80µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3.57nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 78pF @ 25V
功率 - 最大: 360mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装: PG-SOT23-3
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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