FQD12P10TF_NB82105 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| FQD12P10TF_NB82105 |
Fairchild Semiconductor |
MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK |
0 |
2,000:$0.41860
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FQD12P10TF_NB82105 PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET P 通道,金属氧化物
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| FET 特点: |
标准
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
100V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
9.4A
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| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
290 毫欧 @ 4.7A,10V
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| Id 时的 Vgs(th)(最大): |
4V @ 250µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
27nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
800pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
2.5W
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
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| 供应商设备封装: |
D-Pak
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| 包装: |
带卷 (TR)
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