型号
分离式半导体产品 TK22E10N1,S1X品牌、价格、PDF参数
TK22E10N1,S1X
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
TK22E10N1,S1X
Toshiba
MOSFET N CH 100V 52A TO220
0
1:$1.86000
10:$1.68000
25:$1.50000
100:$1.35000
250:$1.20000
500:$1.05000
1,000:$0.87000
2,500:$0.81000
5,000:$0.78000
TK22E10N1,S1X
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
52A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
13.8 毫欧 @ 11A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
4V @ 300µA,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs:
28nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
1800pF @ 50V
功率 - 最大:
72W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-220-3
供应商设备封装:
TO-220
包装:
管件
电子产品资料
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