型号
分离式半导体产品 BSZ180P03NS3E G品牌、价格、PDF参数
BSZ180P03NS3E G
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
BSZ180P03NS3E G
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
0
5,000:$0.29052
BSZ180P03NS3E G
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
39.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
18 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
1.9V @ 48µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
2220pF @ 15V
功率 - 最大:
2.1W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
8-PowerTDFN
供应商设备封装:
PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包装:
带卷 (TR)
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