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分离式半导体产品 TK100E10N1,S1X品牌、价格、PDF参数

TK100E10N1,S1X • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
TK100E10N1,S1X Toshiba MOSFET N CH 100V 207A TO220 0 1:$5.60000
10:$5.00000
25:$4.50000
100:$4.10000
250:$3.70000
500:$3.32000
1,000:$2.80000
2,500:$2.66000
5,000:$2.55000
TK100E08N1,S1X Toshiba MOSFET N CH 80V 214A TO220 0 1:$5.60000
10:$5.00000
25:$4.50000
100:$4.10000
250:$3.70000
500:$3.32000
1,000:$2.80000
2,500:$2.66000
5,000:$2.55000
TK100E10N1,S1X • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 207A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.4 毫欧 @ 50A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 1mA，10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 8800pF @ 50V
功率 - 最大: 255W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220-3
包装: 管件
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