型号
分离式半导体产品 IPI180N10N3 G品牌、价格、PDF参数
IPI180N10N3 G
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
IPI180N10N3 G
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
0
1:$1.59000
10:$1.43700
25:$1.28280
100:$1.15450
250:$1.02620
500:$0.89792
1,000:$0.74400
2,500:$0.69268
5,000:$0.66703
SPB80N03S2-03 G
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
0
1,000:$1.59404
IPI180N10N3 G
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
43A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
18 毫欧 @ 33A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
3.5V @ 33µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
1800pF @ 50V
功率 - 最大:
71W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装:
PG-TO262-3
包装:
管件
电子产品资料
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