型号

分离式半导体产品 BS108/01,126品牌、价格、PDF参数

BS108/01,126 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BS108/01,126 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 0
BS108,126 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 0
BS108/01,126 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 300mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 5 欧姆 @ 100mA，2.8V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.8V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: -
输入电容 (Ciss) @ Vds: 120pF @ 25V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商设备封装: TO-92-3
包装: 带盒（TB）
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020