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分离式半导体产品 PHD18NQ10T,118品牌、价格、PDF参数

PHD18NQ10T,118 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
PHD18NQ10T,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 18A DPAK 0
BUK9535-55,127 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB 0
BUK7524-55,127 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V SOT78 0
BUK7213-40A,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH TRENCH 40V TO252 0
PH2030AL,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH TRENCH 30V LFPAK 0
PH1825AL,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH TRENCH 25V LFPAK 0
PHP165NQ08T,127 NXP Semiconductors MOSFET N-CH TRENCH 75V TO-220AB 0
PHD18NQ10T,118 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 90 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 633pF @ 25V
功率 - 最大: 79W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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