分离式半导体产品 BAS21H,115品牌、价格、PDF参数

BAS21H,115 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BAS21H,115 NXP Semiconductors DIODE SWITCH 200V 200MA SOD123 7,957 1:$0.32000
10:$0.29000
25:$0.20840
100:$0.16220
250:$0.10192
500:$0.08686
1,000:$0.05918
BAS29,215 NXP Semiconductors DIODE SW 110V 250MA SOT-23 4,767 1:$0.33000
10:$0.23700
25:$0.18480
100:$0.13990
250:$0.09888
500:$0.07916
1,000:$0.06072
PMEG4002ELD,315 NXP Semiconductors DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD882D 18,635 1:$0.52000
10:$0.36700
25:$0.30160
100:$0.24100
250:$0.17556
500:$0.14258
1,000:$0.10959
2,500:$0.09842
5,000:$0.09310
BAS116,215 NXP Semiconductors DIODE SW EPITAXIAL MED-SPD SOT23 5,518 1:$0.30000
10:$0.27700
25:$0.19920
100:$0.15500
250:$0.09740
500:$0.08300
1,000:$0.05655
BAS116,235 NXP Semiconductors DIODE SW EPITAXIAL MED-SPD SOT23 0 10,000:$0.03700
30,000:$0.03400
50,000:$0.03200
100,000:$0.02900
250,000:$0.02800
BAS21H,115 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 200V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 200mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 200V
电容@ Vr, F: 5pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123F
供应商设备封装: SOD-123F
包装: 剪切带 (CT)