分离式半导体产品 FESB8GT-E3/81品牌、价格、PDF参数

FESB8GT-E3/81 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
FESB8GT-E3/81 Vishay General Semiconductor DIODE 8A 400V 50NS SGL TO263AB 0 800:$0.64475
FESB8FT-E3/81 Vishay General Semiconductor DIODE 8A 300V 50NS SGL TO263AB 0 800:$0.64475
MBRB1660HE3/45 Vishay General Semiconductor DIODE SCHOTT 16A 60V SGL TO263AB 0 1,000:$0.64335
MBRB1650HE3/45 Vishay General Semiconductor DIODE SCHOTT 16A 50V SGL TO263AB 0 1,000:$0.64335
MBRF1645HE3/45 Vishay General Semiconductor DIODE SCHOTT 16A 45V SGL TO220-2 0 1,000:$0.64275
MBRF1635HE3/45 Vishay General Semiconductor DIODE SCHOTT 16A 35V SGL TO220-2 0 1,000:$0.64275
MBRF1635/45 Vishay General Semiconductor DIODE SCHOTTKY 16A 35V ITO-220AC 0 1,000:$0.64275
MBRB16H45-E3/81 Vishay General Semiconductor DIODE SCHOTT 16A 45V SGL TO263AB 0 1,600:$0.63930
FESB8GT-E3/81 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 400V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.3V @ 8A
速度: 快速恢复 = 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 400V
电容@ Vr, F: -
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263AB
包装: 带卷 (TR)