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分离式半导体产品 PDTA123EE,115品牌、价格、PDF参数

PDTA123EE,115 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
PDTA123EE,115 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-416 0 12,000:$0.04100
PDTD123YT,215 NXP Semiconductors TRANS NPN W/RES 50V SOT-23 84,000 3,000:$0.04324
6,000:$0.03760
15,000:$0.03196
30,000:$0.03008
75,000:$0.02820
PDTA123EE,115 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
电流 - 集电极 (Ic)（最大）: 100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）: 50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）: 2.2k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）: 2.2k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 30 @ 20mA，5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）: 150mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）: 1µA
频率 - 转换: -
功率 - 最大: 150mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-75，SOT-416
供应商设备封装: SC-75
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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