分离式半导体产品 BFN 38 E6327品牌、价格、PDF参数

BFN 38 E6327 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BFN 38 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR RF NPN 300V SOT-223 0 5,000:$0.13237
BFN 18 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR RF NPN 300V SOT-89 0 6,000:$0.13237
BCX 56-16 E6433 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN AF 80V SOT-89 0 8,000:$0.10416
BCX 56-16 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN AF 80V SOT-89 0 7,000:$0.10416
BCX 55-16 E6433 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN AF 60V SOT-89 0 8,000:$0.10416
BCP 55-16 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN AF 60V SOT-223 0 7,000:$0.15051
BCX 53 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR PNP AF 80V SOT-89 0 7,000:$0.10416
BCX 53-16 E6433 Infineon Technologies TRANSISTOR PNP AF 80V SOT-89 0 8,000:$0.10416
BCX 53-16 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR PNP AF 80V SOT-89 0 7,000:$0.10416
BCX 52-16 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR PNP AF 60V SOT-89 0 7,000:$0.10416
BFN 38 E6327 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 300V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大): 500mV @ 2mA,20mA
电流 - 集电极截止(最大): -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 30 @ 30mA,10V
功率 - 最大: 1.5W
频率 - 转换: 70MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: PG-SOT223-4
包装: 带卷 (TR)