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分离式半导体产品 NSVB143TPDXV6T1G品牌、价格、PDF参数

NSVB143TPDXV6T1G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
NSVB143TPDXV6T1G ON Semiconductor TRANS NPN/PNP DUAL 50V SOT563 0 8,000:$0.10230
NSVB123JPDXV6T1G ON Semiconductor TRANS NPN/PNP DUAL 50V SOT563 0 8,000:$0.10230
NSVB143TPDXV6T1G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
电流 - 集电极 (Ic)（最大）: 100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）: 50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）: 4.7k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）: -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 160 @ 5mA，10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）: 250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）: 500nA
频率 - 转换: -
功率 - 最大: 357mW
封装/外壳: SOT-563，SOT-666
供应商设备封装: SOT-563
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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