分离式半导体产品 BCR 129S H6327品牌、价格、PDF参数

BCR 129S H6327 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BCR 129S H6327 Infineon Technologies TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT363 0 18,000:$0.04896
BCR 119S H6433 Infineon Technologies TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT363 0 20,000:$0.04896
BCR 119S H6327 Infineon Technologies TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT363 0 18,000:$0.04896
BCR 116S H6327 Infineon Technologies TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT363 0 18,000:$0.04896
BCR 10PN H6730 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP DGTL 50V SOT363 0 20,000:$0.04896
BCR 10PN H6727 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP DGTL 50V SOT363 0 18,000:$0.04896
BCR 108S H6433 Infineon Technologies TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT363 0 20,000:$0.04896
BCR 108S H6327 Infineon Technologies TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT363 0 18,000:$0.04896
BCR 08PN H6727 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT363 0 18,000:$0.04896
BCR 08PN H6327 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT363 0 18,000:$0.04896
BCR 185S H6327 Infineon Technologies TRANS PNP DGTL 50V 100MA SOT363 0 18,000:$0.04539
BCR 141S H6327 Infineon Technologies TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT363 0 39,000:$0.04320
BCR 129S H6327 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧): 10k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧): -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 120 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大): 300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大): -
频率 - 转换: 150MHz
功率 - 最大: 250mW
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: PG-SOT363-6
包装: 带卷 (TR)