hz-302c 砷化镓gaas霍尔元件

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hg302c砷化镓霍尔元件

砷化镓：（gallium arsenide）化学式gaas。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀.

   砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生长理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。

2010年5月，新一期英国《自然》杂志报告说，美国研究人员研发出一种可批量砷化镓晶片的技术，克服了成本上的瓶颈，从而使砷化镓这种感光性能比硅更优良的材料有望大规模用于半导体和太阳能相关产业。

　 美国伊利诺伊大学等机构研究人员报告说，他们开发出的新技术可以生成由砷化镓和砷化铝交叠的多层晶体，然后利用化学物质使砷化镓层分离出来，可同时生成多层砷化镓晶片，大大降低了成本。这些砷化镓晶片可以像“盖章”那样安装到玻璃或塑料等材料表面，然后可使用已有技术进行蚀刻，根据需要制造半导体电路或太阳能电池板。不过，该技术目前还只能用于批量较小的砷化镓晶片，如边长500微米的太阳能电池单元。下一步研究将致力于利用新技术批量更大的砷化镓晶片。

砷化镓（gaas）霍尔器件是一种电磁转换的磁敏器件，广泛用于电子、汽车、测量等众多领域，是半导体磁传感器中最成熟、产量最大的产品。但国内尚无企业能该产品。随着无刷电机、汽车电子、计算机、信息家电等产业的发展，对霍尔器件的需求大幅度增加。砷化镓霍尔器件具有温度特性优良、输出电压线性好、输入阻抗高、低失调率、v0时漂小等优点。

砷化镓被用来作为磁感应材料